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二硒化铪晶体(99.995) HfSe2

简要描述:二硒化铪晶体 HfSe2(Hafnium Selenide)
晶体尺寸:~10毫米
电学性能:半导体
晶体结构:六边形
晶胞参数:a = b = 0.3745 nm, c = 0.6160 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶体类型:合成
晶体纯度:>99.995%

  • 更新时间:2022-05-27
  • 产品型号:
  • 厂商性质:生产厂家
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详细介绍

二硒化铪晶体 HfSe2(Hafnium Selenide)
晶体尺寸:~10毫米
电学性能:半导体
晶体结构:六边形
晶胞参数:a = b = 0.3745 nm, c = 0.6160 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶体类型:合成
晶体纯度:>99.995%

X-ray diffraction on a Hafnium Diselenide single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 1, 3, 4, 5


Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal HfSe2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.


Stoichiometric analysis of a single crystal HfSe2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).


Raman spectrum of a single crystal HfSe2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.


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