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硒化镓晶体(99.995) 2H-GaSe

简要描述:硒化镓晶体 2H-GaSe(Gallium Selenide)
晶体尺寸:10毫米
电学性能:半导体
晶体结构:六边形
晶胞参数:a = b = 0.374 nm, c = 1.592 nm, α = β = 90°, γ =120°
晶体类型:合成
晶体纯度:>99.995%

  • 更新时间:2022-05-27
  • 产品型号:
  • 厂商性质:生产厂家
  • 访 问 量:599

详细介绍

硒化镓晶体 2H-GaSe(Gallium Selenide)
晶体尺寸:10毫米
电学性能:半导体
晶体结构:六边形
晶胞参数:a = b = 0.374 nm, c = 1.592 nm, α = β = 90°, γ =120°
晶体类型:合成
晶体纯度:>99.995%

X-ray diffraction on a GaSe single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (001) with h = 4, 6, 8, 10, 12


Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal GaSe. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.


Stoichiometric analysis of a single crystal GaSe by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).


Raman spectrum of a single crystal GaSe. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.


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