基于SiO2/Si晶片的双层CVD半岛全站手机客户端下载官网 薄膜

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将两层单层CVD半岛全站手机客户端下载官网 膜转移 到285nm p掺杂的SiO 2 / Si晶片上
尺寸：1cmx1cm; 8片
将每个半岛全站手机客户端下载官网 膜连续转移到晶片上
我们的半岛全站手机客户端下载官网 薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制
该产品的半岛全站手机客户端下载官网 覆盖率约为98％
半岛全站手机客户端下载官网 薄膜是连续的，具有小孔和有机残留物
每个半岛全站手机客户端下载官网 薄膜主要是单层（超过95％），偶尔有少量多层（低于5％的双层）
由于没有A-B堆叠顺序。半岛全站手机客户端下载官网 薄膜彼此随机取向。
薄层电阻：215-700Ω/平方

硅/二氧化硅晶圆的特性：
氧化层厚度：285nm
颜色：紫罗兰色
晶圆厚度：525微米
电阻率：0.001-0.005欧姆 - 厘米
型号/掺杂剂：P /硼
方向：<100>
前表面：抛光
背面：蚀刻

应用：
半岛全站手机客户端下载官网 电子和晶体管
导电涂料
航空航天工业应用
支持金属催化剂
微执行器
MEMS和NEMS
化学和生物传感器
基于半岛全站手机客户端下载官网 的多功能材料
半岛全站手机客户端下载官网 研究

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