Substrate: Sapphire (c-cut) Quartz (Silica) TEM grids (please supply grids) Thermal Oxide (SiO2/Si) Polyethylene terephthalate – PET Substrates Pick your own substrates (please define the substrate ty

Newly acquired ion implantation accelerator unit allows 2Dsemiconductors USA to create desired amounts of defects by alpha particle irradiation process at select amount of doses.

基于SiO2/Si晶片的双层CVD半岛全站手机客户端下载官网 薄膜 将两层单层CVD半岛全站手机客户端下载官网 膜转移 到285nm p掺杂的SiO 2 / Si晶片上 尺寸：1cmx1cm; 8片 将每个半岛全站手机客户端下载官网 膜连续转移到晶片上 我们的半岛全站手机客户端下载官网 薄膜的厚度和质量由拉曼光谱控制 该产品的半岛全站手机客户端下载官网 覆盖率约为98％ 半岛全站手机客户端下载官网 薄膜是连续的，具有小孔和有机残留物 每个半岛全站手机客户端下载官网 薄膜主要是单层（超过95％），偶尔有少量多层（低于5％的双层） 由于没有A-B堆叠

德国2D Next主要提供机械剥离的超大尺寸二维材料，可以提供在众多基底上的转移技术，如二氧化硅，蓝宝石，CVD金刚石等，可用材料包括MoS2，MoSe2，WS2，WSe2等，提供三种尺寸的机械剥离2L/3L材料，分别为50um,75um,100um

Chemical vapor deposited (CVD) GaSe films have been synthesized at our facilities in 2019. Bulk GaSe is a 2.0 eV direct semiconductor with exciting second harmonic, optical.

1．将单层硫化钼转移至衬底（衬底可根据客户需求选定）$n2．边长15um （三角形）片内层数均匀$n3．衬底上转移3个（数量可定制）带电极的单层硫化钼样品$n4．电极间距：~5um