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  • MnO2 二氧化锰晶体2

    MnO2 is 2D catalytic and electronic grade semiconducting 2D material. In the bulk form, MnO2 has 1.5 eV predicted band gap while it has been anticipated to increase to 2.0 eV in the monolayer form [1]

    更新时间: 2022-07-21
    产品价格: 5712.2
    厂商性质: 生产厂家
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  • MnO2 二氧化锰晶体

    MnO2 is 2D catalytic and electronic grade semiconducting 2D material. In the bulk form, MnO2 has 1.5 eV predicted band gap while it has been anticipated to increase to 2.0 eV in the monolayer form [1]

    更新时间: 2022-07-21
    产品价格: 5712.2
    厂商性质: 生产厂家
    访问次数: 516
  • MoO3 三氧化钼晶体

    a-MoO3 is a layered vdW semiconductor with a crystal structure that belongs to the space group Pbnm 62 (see unit cell parameters below).

    更新时间: 2022-07-21
    产品价格: 6481.15
    厂商性质: 生产厂家
    访问次数: 469
  • GeP 磷化锗晶体

    GeP has highly anisotropic dispersions of band structures, with a layer-dependent indirect band gap from (theoretically predicted) 1.68 eV of monolayer to 0.51 eV of bulk.

    更新时间: 2022-07-21
    产品价格: 8678.15
    厂商性质: 生产厂家
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  • GeAs 砷化锗晶体

    Our single crystal GeAs (Germanium arsenide) crystals come with guaranteed anisotropy, electronic, and optical grade crystal quality. They are developed at our facilities using

    更新时间: 2022-07-21
    产品价格: 7579.65
    厂商性质: 生产厂家
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  • SbSI 硅化锑晶体

    Commercially available first ferroelectric semiconductor SbSI 1D and 2D vdW crystals. Bulk V-VI-VII semiconductor has a orthorhombic structure with the space group of Pna21

    更新时间: 2022-07-21
    产品价格: 5712.2
    厂商性质: 生产厂家
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