硅基底半岛全站手机客户端下载官网 （1*1cm单层） Graphene on Si 表面电阻：小于600Ω/sq 定做：＜300Ω/sq 透明度： 95% 制备方法： 1）采用化学气相沉积方法制备铜基半岛全站手机客户端下载官网 2）半岛全站手机客户端下载官网 从铜转移到硅衬底

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二氧化硅基底半岛全站手机客户端下载官网 （1*1cm单层） Graphene on SiO2 表面电阻：小于600Ω/sq 定做：＜300Ω/sq 透明度： 95% 制备方法： 1）采用化学气相沉积方法制备铜基半岛全站手机客户端下载官网 2）半岛全站手机客户端下载官网 从铜转移到硅衬底

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形状：可任意裁剪 尺寸：1*1cm/2*2cm/5*5cm/10*10cm 层数：单层 晶粒：单晶/多晶，50~300um

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